مواد و ساخت پیشرفته

بر اساس آخرین تحقیقات، لایه اتصال SiC/Al₄SiC₄ با تشکیل درجا، برای اتصال یکپارچه SiC ، با استفاده از یک تکنیک پخت وابسته به میدان الکتریکی پیشنهاد شده است.

برای این منظور، یک پودر چند فازی Al₄C₃/SiC/Al₄SiC₄ ، به عنوان ماده اتصال اولیه برای به دست آوردن لایه واکنشی در محل SiC/Al₄SiC₄، از طریق واکنش های بین سطحی مناسب استفاده شده است.

نتایج نشان داده است از این طریق استحکام خمشی نمونه تولید شده بسیار بالاتر از استحکام ماتریس اتصال نیافته SiC می باشد.

نشان داده شده است زمانی یک اتصال کامل و بی نقص زمانی به دست می آید که Al₄C₃ به طور کامل به Al₄SiC₄تبدیل شده و نهایتا یک لایه اتصال کاملا متراکم  Al₄SiC₄ استحکام یابد. در واقع یکپارچگی لایه اتصال با زمینه SiC ، با تشکیل مقدار بالایی از فاز مایع بهبود می یابد.

لایه اتصال فرض شده SiC/Al₄SiC₄ ، با تطابق حرارتی خوب با ماتریس SiC ، پتانسیل زیادی را برای استفاده در کامپوزیت های زمینه سرامیکی بر پایه SiC نشان می دهد.

منبع:

https://www.sciencedirect.com/science/article/abs/pii/S0955221920305963